Beshta tez-tez ishlatiladigan yuqori{0}}kuchli LED kristall chiplarini ishlab chiqarish usuli
Yoritish manbai sifatida yuqori{0}}quvvatli LEDlar kichik oʻlchamli, kam quvvat sarfi, past issiqlik ishlab chiqarish, uzoq umr, tez javob berish tezligi, xavfsiz past kuchlanish, ob-havoga yaxshi qarshilik va yaxshi yoʻnalish kabi afzalliklarga ega. Tashqi qopqoq 135 darajagacha yuqori haroratga va past haroratga -45 darajagacha bardosh beradigan kompyuter trubkasidan tayyorlanishi mumkin. Toʻrtinchi avlod elektr yorugʻlik manbai sifatida-yuqori quvvatli LED “yashil yorugʻlik manbai” sifatida tanilgan. Kichik o'lchamli, xavfsiz va past kuchlanish, uzoq umr, yuqori elektro-optik konversiya samaradorligi, tezkor javob tezligi, energiya tejash va atrof-muhitni muhofaza qilish kabi ajoyib xususiyatlarga ega. Bu, albatta, an'anaviy akkor lampalar o'rnini bosadi, halogen volfram lampalar va lyuminestsent lampalar 21-asrda yorug'lik manbalarining yangi avlodiga aylandi.
Yuqori quvvatli LED chiplarini{0}}ishlab chiqarish usullari quyidagicha umumlashtiriladi:
①Increase the size of the glow
Yagona LED yorug'lik{0}}yorilish maydoni va kerakli magnit oqimga erishish uchun TCL yagona tarqatish qatlamidan oqib o'tadigan oqim miqdorini samarali oshiradi. Biroq, yorug'lik chiqarish maydonini oddiygina oshirish-bu muammoni hal qilmaydi va issiqlik tarqalishi muammosi amaliy dasturlarda kutilgan effekt va magnit oqimga erisha olmaydi.
②Silicon backplane flip-chip method
Evtektik lehim Birinchidan, katta LED panelli yorug'lik chipini tayyorlang va kremniy substrat va kremniy substratda mos o'lchamni tayyorlang, oltin evtektik lehim qatlami va Supero'tkazuvchilar qatlam o'tkazgichidan foydalaning (ultratovushli oltin simli shar va rozetka birikmasi) va mobil qurilmaning LED-dan foydalaning. chiplar va evtektik lehim bilan birga lehimlangan-katta o'lchamdagi silikon substratlar. Bunday tuzilma nafaqat bu masalani ko'rib chiqish, balki yorug'lik va issiqlik masalasini ham ko'rib chiqish uchun yanada oqilona bo'ladi, bu asosiy oqim yuqori{1}}kuchli LED ishlab chiqarishdir.
③Flip-chip method of ceramic plate
Umumiy qurilmaning LED panelli yorug'lik chipining kristalli tuzilishi keyingi katta, evtektik lehim qatlami va seramika plastinka va keramik substratdagi Supero'tkazuvchilar qatlam, bu sohada ishlab chiqarilgan mos keladigan simlar, payvandlash elektrodlari ishlatiladi. chiplar va katta keramik plitalarni payvandlash uchun kristall LED payvandlash uskunasi. Bunday tuzilma ko'rib chiqilishi kerak bo'lgan muammodir va u ham ko'rib chiqilishi kerak bo'lgan muammodir. Yorug'lik va issiqlik uchun yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi seramika plitalari va keramik plitalardan foydalanish juda yaxshi issiqlik tarqalish effektiga ega va nisbatan past narxga ega. Bu hozirgi asosiy qadoqlash materiallari va kelajakda integral mikrosxemalar integratsiyasi uchun ajratilgan joy uchun ko'proq mos keladi.
④Sapphire substrate transition method
PN birikmasini ishlab chiqaruvchisi safir substratni olib tashlaganidan so'ng, safir substratda InGaN chipini o'stiradi va keyin an'anaviy to'rtlamchi materialni an'anaviy usullar bilan katta tuzilishga ega ko'k LED chipining pastki elektrodiga ulaydi.
⑤ AlGaInN silicon carbide (SiC) backside light method
Cree — kremniy karbidli substratli AlGaInN ultra{0}}yorqin LED ishlab chiqaruvchi dunyodagi yagona. Yillar davomida ishlab chiqarilgan AlGaInN/SICA chiplarining arxitekturasi doimiy ravishda takomillashtirildi va yorqinligi oshirildi. P-turi va N{2}} tipidagi elektrodlar mos ravishda chipning yuqori va pastki qismida joylashganligi sababli, bitta simli ulanishdan foydalangan holda, yaxshi moslik, foydalanish qulayligi va shu bilan boshqa asosiy mahsulotga aylanadi. AlGaInNLED ning rivojlanishida.
