Joriy yilning may oyida Qirol Abdulla Fan va Texnologiya Universiteti (KAUST) yangi InGaN asosidagi qizil nurli Micro LED chipini ishlab chiqishni e'lon qildi. Tashqi kvant samaradorligi (EQE) yaxshilandi. LED displeylari targ'ib qilishda muhim rol o'ynaydi. Shu asosda KAUST yaqinda yangi yutuqlarga erishdi.
Xorijiy ommaviy axborot vositalarining xabarlariga ko'ra, KAUST Micro LEDlarning to'liq rangini amalga oshirib, butun ko'rinadigan yorug'lik spektrida yorug'likni samarali ravishda chiqaradigan Micro LED (mLEDs) chiplarini ishlab chiqdi. Hozirgi vaqtda KAUST jamoasining tegishli maqolalari"Photonics Research" jurnalida chop etilgan.
Hisobotlarga ko'ra, azot qotishmasi yarimo'tkazgichli materialning bir turi bo'lib, to'g'ri kimyoviy aralashtirish orqali RGB uch rangdagi yorug'likni chiqarishi mumkin, Micro LED RGB to'liq rangli displeyga erishishga yordam beradi. Biroq, nitrid chipining o'lchami mikron darajasiga tushganda, yorug'lik samaradorligi ham zaiflashadi.
KAUST tadqiqot guruhi batafsil tushuntirish berdi: Chip hajmini kamaytirishning asosiy to'siqlari ishlab chiqarish jarayonida LED strukturasining yon devoriga zarar etkazishi va nuqsonlarning paydo bo'lishi yorug'lik emissiyasiga ta'sir qiladigan qochqinning paydo bo'lishiga olib keladi. chipdan. Va o'lcham kichrayganda, bu hodisa yanada aniq bo'ladi, shuning uchun LED chipining o'lchami 400 mm × 400 mikron bilan cheklangan.
Biroq, KAUST jamoasi bu muammoni hal qilishda muvaffaqiyatga erishdi va o'lchami 17 mkm × 17 mm bo'lgan yuqori yorqinlikdagi InGaN qizil mikro LED chipini ishlab chiqdi.
Ta'kidlanishicha, tadqiqot guruhi 10×10 qizil nurli Micro LED massivini ishlab chiqish uchun to'liq kalibrlangan atomik cho'kma texnologiyasidan foydalangan va kimyoviy ishlov berish orqali LED chip strukturasining yon devoriga zarar yetkazilgan. Atom darajasidagi kuzatuvlar (professional vositalar va namunalarni tayyorlash talab qilinadi) orqali tadqiqot guruhi kimyoviy ishlov berishdan so'ng yon devorlarning yuqori kristallilikka ega ekanligini tasdiqladi.
Tadqiqot guruhining kuzatuvlariga ko'ra, chip sirtining 2 kvadrat millimetr maydoniga chiqish quvvati 1,76 mVt ga teng, oldingi mahsulotning 2 kvadrat millimetr maydoniga chiqish quvvati esa atigi 1 mVt. Aksincha, yangi mahsulotning chiqish quvvati sezilarli darajada yaxshilandi, ya'ni tashqi Kvant yorug'lik samaradorligi sezilarli darajada yaxshilandi. Keyinchalik tadqiqot guruhi qizil yorug'lik Micro LED chipini InGaN ko'k va yashil yorug'lik Micro LED chipi bilan birlashtirib, keng rangli gamut Micro LED qurilmasini ishlab chiqardi.
KAUST yuqori yorqinligi, tezkor javob tezligi, keng rangli gamut va kam energiya iste'moli afzalliklari bilan InGaN Micro LED keyingi avlod Micro LED boshli monitorlar, mobil telefonlar, televizorlar va boshqa jihozlar uchun ideal yechim bo'ladi, deb hisoblaydi. Keyingi bosqichda KAUST jamoasi Micro LEDning samaradorligini yanada oshiradi va hajmini 10 mkm dan kamaytiradi.
Shuni ta'kidlash kerakki, Jingneng Optoelektronika ham to'liq rangli InGaN asosidagi Micro LED-larga erishish yo'lida yutuqlarga erishdi.
LEDinside'ning tushunchasiga ko'ra, Jingneng Optoelektronika kremniy asosidagi qizil Micro LED chipini ishlab chiqdi va qizil, yashil va ko'kning uchta asosiy rangi bo'lgan silikon substratda GaN asosidagi Micro LED qatorini muvaffaqiyatli ishlab chiqardi. Biroq, Jingneng, shuningdek, qizil Micro LED chiplarining joriy tashqi kvant samaradorligi sinov usullarini yanada optimallashtirish kerakligini tan oldi.
Micro LED chip texnologiyasining kichik o'lchamlari nuqtai nazaridan, joriy yilning mart oyida Kaliforniya universiteti, Santa-Barbara (UCSB) ham InGaN-ga asoslangan o'lchami 10 mikrondan kam bo'lgan qizil chiroq Micro LED chipining birinchi namoyishini e'lon qildi. , lekin u tashqi kvant yorug'lik emissiyasiga ham duch keladi. Kam samaradorlik muammosi. Ma'lum qilinishicha, ushbu chipning gofret o'lchamida o'lchangan EQE atigi 0,2% ni tashkil qiladi.
UCSB ta'kidlashicha, terminal displeylari talablariga javob berish uchun Micro LEDning tashqi kvant yorug'lik samaradorligi kamida 2-5% ga yetishi kerak. UCSB'ning navbatdagi rejasi tashqi kvant samaradorligini oshirish uchun material sifatini yaxshilash va ishlab chiqarish bosqichlarini optimallashtirishdan iborat.
Ko'rinib turibdiki, tadqiqot guruhlari Micro LEDlarning to'liq rangli va tijoratlashtirilishini targ'ib qilishda hali uzoq yo'lni bosib o'tishlari kerak. Ammo yaxshi xabar shundaki, o'tgan yillar bilan solishtirganda, bu yil Micro LED texnologiyasida barcha tomonlar erishgan yutuqlar Micro LED sanoatini rag'batlantirishda muhim rol o'ynaydi va terminal mahsulotlari asta-sekin paydo bo'ldi, ya'ni ishlab chiqaruvchilar va iste'molchilar chiqib ketishadi. Mikro LEDlar va biroz yaqinroq.
