Bir necha kun oldin Avstriyaning Optoelektronika Texnologiyasi (Xanchjou) MChJ 2 dyuymli (~ 50,8 mm) yuqori sifatli alyuminiy nitridli yagona kristalli substratni chiqardi va kichik partiyali ommaviy ishlab chiqarishni boshladi.
UTI-AlN-050B seriyali 2 dyuymli yuqori sifatli AlN monokristalli substratlar va boshqa o'lchamdagi AlN yagona kristalli substratlar
Ma'lum qilinishicha, alyuminiy nitrid (AlN)-bu katta taqiqlangan tarmoqli kengligi (6,2 eV gacha), yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, yuqori parchalanish maydonining kuchi, yuqori issiqlik stabilligi, ultra keng tarmoqli yarim o'tkazgichli yuqori sifatli materiallarning yangi avlodi. va yaxshi ultrabinafsha shaffofligi. Ishlashning yuqori afzalliklari, masalan, haddan tashqari tezlik, lekin AlN monokristalining qiyinligi va og'ir sharoitlari tufayli uni tayyorlash SiC, GaN va boshqalarga qaraganda ancha qiyin.
Kichik o'lchamli AlN monokristallari qurilma ishlab chiqarishda keng qo'llanilgan bo'lsa-da, cheklangan gofret hajmi va chiqishi tegishli sohalarda keng ko'lamli ishlab chiqarish liniyalarini ishlab chiqarish ehtiyojlarini qondira olmaydi. Bu har doim AlN monokristalli substratlarni keng miqyosda qo'llashda asosiy cheklov bo'lib kelgan. To'siqlardan biri.
Bu safar 2 dyuymli alyuminiy nitridli yagona kristalli substrat rejaga muvofiq keladi. Yuqori quvvatli chuqur ultrabinafsha LEDlar, ultrabinafsha LEDlar, ultrabinafsha detektorlar, ultrabinafsha ogohlantirish va yuqori quvvatli, yuqori chastotali, yuqori haroratli elektron qurilmalar va boshqa sohalarda yuqori quvvatli chiplar paydo bo'lishi kutilmoqda. Substratning eng yaxshi materiallari va eritmalari.
