Guangmai Texnologiya Co., Ltd.
+86-755-23499599
Biz bilan bog'lanish
  • Tel: +86-755-23499599

  • Faks: +86-755-23497717

  • Elektron pochta: info@gmleds.com

  • Qo'shish: Guangmai Tech Park, №96, Guangtian Rd, Yanluo, Baoan Dist, Shenzhen, Xitoy

Bir viloyat chuqur ultrabinafsha LED bilan bog'liq siyosatlarni chiqardi! Substrat va chiplarni tayyorlash texnologiyasini jalb qilish!

Oct 21, 2021

Bir necha kun oldin Anhui provintsiyasining Iqtisodiyot va axborot texnologiyalari departamenti ishlab chiqarish sanoatining rivojlanishini cheklaydigan asosiy va umumiy texnik muammolardagi yutuqlarni tezlashtirish va ishlab chiqarish sanoatining yuqori sifatli rivojlanishiga ko'maklashish uchun"Ishlab chiqarish-universitet-tadqiqot-ishlab chiqarishning asosiy sohalaridagi kamchiliklarni bartaraf etish uchun foydalaniladigan mahsulotlar va asosiy umumiy texnologiyalarni hal qilish bo'yicha ko'rsatmalar." Katalog (2021)"."UV LED shamol yo'nalishi" chuqur ultrabinafsha LED maxsus naqshli substrat va chip tayyorlash texnologiyasini tadqiq qilish va sanoatlashtirish ekanligini aniqladi.


Chuqur ultrabinafsha LEDlar uchun maxsus naqshli substratlar va chiplarni tayyorlash texnologiyalarini tadqiq qilish va sanoatlashtirish asosan UVC yarimo'tkazgichlarini hal qilish uchun AlN va yuqori alyuminiy AlGaN ultrabinafsha LED chiplarining epitaksial o'sishiga mos keladigan nano-naqshli safir substratlarda o'rganilganligi tushuniladi. Epitaksial texnologiyaning uchta muammosi, sterilizatsiya samaradorligini oshirish va issiqlik tarqalishini yaxshilash.

Black_light_UV_LED_Flashlight-e1579591215878

Uning asosiy texnik maqsadi naqsh o'lchamlarini bir xil taqsimlash bilan nano-naqshli substratlarni tayyorlashni amalga oshirishdir. Naqshning o'ziga xos o'lchami: yuqori (pastki) diafragma 700-1000 (100-300) nm, chuqurligi 300-650 nm, 1-davr mikroyapısı 1,4 mkm, bir xillik 3-5% dan kam.


Ikkinchisi, AlGaN kvant qudug'ining emissiya to'lqin uzunligi 280 nm dan past (emissiya to'lqin uzunligi 260-280 nm) va ichki kvant samaradorligi 50% dan yuqori ekanligini tushunish uchun nano-miqyosdagi naqshli substratdan foydalanish. Bundan tashqari, UV LED chip tuzilishini tayyorlashda elektroluminesans to'lqin uzunligi 280 nm dan past, chipdan tashqari kvant samaradorligi 3% dan ortiq va chiqish yorug'lik quvvati 10 mVt dan ortiq."Va boshqa masalalar.


Yangi toj virusini o'ldirish qobiliyati va o'zining afzalliklari tufayli chuqur ultrabinafsha LEDlar hukumatning e'tiborini tobora ko'proq jalb qilmoqda. Avvalroq, Fujian provinsiyasining Syamen fan va texnologiya byurosi"2021 yilda Syamenda yirik fan va texnologiya loyihalarini (sanoat va axborot texnologiyalari) qo'llash bo'yicha yo'riqnomani e'lon qildi." Kimyo sanoatida"chuqur ultrabinafsha lyuminestsent materiallar va qurilmalarga e'tiborni aniq ko'rsatadigan bitta element mavjud."


Misol uchun, Shanxi provinsiyasi UV LEDlarni ishlab chiqishni ham qo'llab-quvvatlaydi (batafsil ma'lumot uchun bosing)." Shanxi provintsiyasida yangi jihozlar bo'yicha 14-Besh yillik rejasida", u ultrabinafsha LED chiplari, chuqur ultrabinafsha LED chiplari va MiniLEDlar kabi aqlli aniqlash uskunalari sohasidagi yutuqlarga qaratilgan. Texnologiya, to'liq diapazonli UV LED mahsulotlarini, LED epitaksi mahsulotlarini va UV ilovalarini tadqiq qilish va rivojlantirishga qaratilgan. Shu bilan birga, safir o'stirish uskunalari va MOCVD uskunalarini tadqiq qilish va rivojlantirishga investitsiyalar ko'paytiriladi.


Hozirgi vaqtda Anhuidagi ushbu siyosat ultrabinafsha nurni o'z ichiga oladi, bu sanoatga yana bir bor xushxabar keltiradi va UV LED rivojlanishini rag'batlantirish uchun katta ahamiyatga ega!